僅次于光刻！我國突破氫離子注入核心技術 100％國產
2024-09-11 17:22
快科技
關注
快科技9月11日消息，據國家電力投資集團官方消息，近日，集團所屬國電投核力創芯（無錫）科技有限公司核力創芯暨國家原子能機構核技術（功率芯片質子輻照）研發中心，完成了首批氫離子注入性能優化芯片產品客戶交付。
這標志著，我國已全面掌握功率半導體高能氫離子注入核心技術和工藝，補全了我國半導體產業鏈中缺失的重要一環，為半導體離子注入設備和工藝的全面國產替代奠定了基礎。
工程師進行晶圓離子注入生產
氫離子注入是半導體晶圓制造中僅次于光刻的重要環節，在集成電路、功率半導體、第三代半導體等多種類型半導體產品制造過程中起著關鍵作用。
這一領域核心技術、裝備工藝的缺失，嚴重制約了我國半導體產業的高端化發展，特別是600V以上高壓功率芯片長期依賴進口。
核力創芯在遭遇外國關鍵技術、裝備封鎖的不利條件下，在不到3年的時間里，突破了多項關鍵技術壁壘，實現了100%自主技術、100%裝備國產化，建成了我國首個核技術應用和半導體領域交叉學科研發平臺。
首批交付的芯片產品經歷了累計近1萬小時的工藝、可靠性測試驗證，主要技術指標達到國際先進水平，獲得用戶高度評價。
作者：上方文Q，來源：快科技
原文標題 : 僅次于光刻！我國突破氫離子注入核心技術 100％國產
分享
聲明：
本文由入駐維科號的作者撰寫，觀點僅代表作者本人，不代表OFweek立場。如有侵權或其他問題，請聯系舉報。
請輸入評論內容...
請輸入評論/評論長度6~500個字
最新活動更多
-
6月3-5日合作咨詢>> 維科網光伏云探SNEC 2026
-
即日-7.10立即申報>> 第十二屆太陽能光伏行業年度評選
-
精彩回顧立即查看>> 破局謀變・2026中國新型儲能應用藍皮書
-
精彩回顧立即查看>> 是德科技全場景功率測試白皮書
-
精彩回顧立即查看>> 維科網·鋰電 x CIBF 2026巡展直播媒體服務
-
精彩回顧立即查看>> 新能源出海遇瓶頸？找研華，直接Buff加滿！
